主要技术

指标

1.超高真空室：直径不小于300mm，极限真空10-8Pa；

2.泵系统：干泵ISP-500C（IWATA/日本）；分子泵型号FF200/1300（中科科仪/中国），抽数1300L/min，极限抽真空10-5Pa；离子泵VacionPlus300（Agilent/美国），抽数300L/min，抽极限真空10-8Pa；

3.差分抽RHEED及荧光屏RAD-003GD（R-DEC/日本），加速电压0-30KV；

4.等离子体源HD25（牛津仪器/英国），功率大于400W，离子束半径大于25mm，束流不低于1*1016atoms/cm2/sec at 100mm；

5.磁控溅射靶TM2AM10（科特莱思科/美国）；

6.准分子激光器COMPexPro201F（Coherent/美国），波长248nm，脉冲能量》700mJ 平均功率》5W，最大重复频率不低于10Hz，脉冲宽度25ns，脉冲间稳定性1%；

7.SiC加热台，基片加热温度800℃以上，误差小于1度。

主要应用及功能

可以分别采用脉冲激光沉积和磁控溅射沉积生长高质量薄膜，2英寸直径范围内，成膜不均匀性小于10%，沉积速率不低于200nm/h。

送样要求

只适合做固体块状物质镀膜，靶材大小严格控制为2英寸。